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砷化镓倍频变容二极管主要电特性参数(ta=25℃)-全讯官网

參数名称

击穿电压

反向电流

正向

微分电阻

结电容

电容变比

优值

截至频率

封装

类型

符号

v(br)

ir

rf

cj(-0)

γ

q

fe

测试条件

ir=10μa

vr=0.8v(br)

if=20ma

f=50hz

vr=0v

f=1mhz

ct0/ctv(br)

vr=0v

f=9.375ghz

vr=6v

f=9.375ghz

单位

v

na

ω

pf

ghz

型号\极限

最小

wb6012a

20

15

3.0

0.50.75

3.0

8

w205

wb6012b

20

15

3.0

0.50.75

3.0

10

wb6022a

20

15

3.0

0.751.0

3.0

5

wb6022b

20

15

3.0

0.751.0

3.0

8

wb6031

10

15

3.0

1.0~1.5

2.5

4.5

wb6032

20

15

3.0

1.0~1.5

3.2

4.5

wb6033

30

15

3.0

1.0~1.5

3.8

4.0

wb6041

10

15

3.0

1.52.0

2.7

3.5

wb6042

20

15

3.0

1.52.0

3.5

3.5

wb6043

30

15

3.0

1.52.0

4.0

3.5

wb6051

10

15

3.0

2.03.0

2.7

3.0

wb6052

20

15

3.0

2.03.0

3.5

3.0

wb6053

30

15

3.0

2.03.0

4.0

3.0

wb751

15

15

2.0@50ma

0.08~0.20

100

wb752

20

15

2.0@50ma

0.08~0.20

100

wb2004a

25

100

3.0

0.35~0.45

2.0

100

t209

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25

100

3.0

0.35~0.45

2.0

200

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25

100

3.0

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2.3

100

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25

100

3.0

0.45~0.55

2.3

200

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25

100

3.0

0.55~0.65

2.6

100

wb2004f

25

100

3.0

0.55~0.65

2.6

150

wb2006

15

100

3.0

0.15~0.25

1.5

100

w121

wb2008a

25

100

3.0

0.5~1.5

3.0

50@4v

f25-1

wb2008b

35

100

3.0

0.51.5

4.0

50@4v

wb2009h

15

100

3.0@40ma

0.10.2

1.5

20

t129

wb2012

15

100

3.0

0.15~0.25

550

t089

wb2002

20

50

3.0

0.10.3

100

芯片

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